自从宽带隙(WBG)器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极MOSFET、超级结器件和IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数(FoM)方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的最常见原因可能是在这方面拥有丰富的知
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A股科创板半导体领域再添新将。11月10日，有研半导体硅材料股份公司(以下简称“有研硅”)正式登陆科创板，盘中大涨121.7%，截至今日中午收盘，涨幅104.94%，总市值253.39亿。上市公告书显示，有研硅本次发行募集资金总额18.55亿元，募集资金净额为16.64亿元，将用于集成电路用8英寸硅片扩产项目、集成电路刻蚀设备用硅材料项目、补充研发与营运资金。资料显示，有研硅主营业务为半导体硅材料
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据丽水发布消息，11月2日，丽水中欣晶圆大直径硅片外延项目建设正式宣告竣工，即将进入试产阶段。消息显示，丽水中欣晶圆大直径硅片外延项目总投资40亿元，首期建设项目年产120万片8英寸（以特殊需求外延片为主）、年产240万片12英寸外延片，未来可扩产至8英寸年产240万片、12英寸年产360万片，预计2024年全部达产后可实现年产值50亿元。该项目是2022年浙江省重点建设项目以及2022年丽水市重
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COP(crystaloriginatedparticle)是存在于晶圆片的空洞，在经过氧化溶液SC1（NH4OH：H2O2:H2O=1：1：5）的处理后，可出现小的蚀刻坑洞。而这种晶圆片在经由光线散射仪器所量测出来的微粒（particle），一般称之为LPD（lightpointdefect）。最早期，LPD一直被认为是晶圆片加工过程所引进的污染微粒，直到1990年才发现大部分的LPD是由长晶过
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